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同时发现In掺杂在GeTe费米能级附近产生共振态能级,备案In、备案Cu双掺杂不仅有效降低了载流子浓度而且能显著提高GeTe材料载流子迁移率至87cm2V-1s-1,塞贝克系数和载流子迁移率的提升导致功率因子得到大幅提高。图2电学性能表征为了研究In掺杂对GeTe能带结构的影响,公告电子态密度计算结果揭示了其电子性质,公告In掺杂在GeTe费米能级处引入共振能级导致了态密度和塞贝克系数的增大。而且,服务目前发现的大多掺杂元素通常会抑制GeTe材料的载流子迁移率,不利于材料功率因子的有效提升。

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Cu2Te纳米晶第二相呈球形或椭球形且在Ge0.9In0.015Cu0.125Te中随机分布,公告大部分尺寸在2nm-5nm之间,这跟HAADF-EDS的结果一致。

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